晶体管是集成电路中最重要的元件，它既可以作为开关使用，也可以作为放大器来使用。晶体管的性能极大地受到它的掺杂浓度的影响，因此，了解晶体管的掺杂浓度变化的规律是很有必要的。

晶体管的掺杂浓度分为三个区域：少量掺杂区、中量掺杂区和大量掺杂区。少量掺杂区是指晶体管中掺杂元素的浓度很低，大约在10^15个掺杂原子/cm3以下。由于掺杂浓度太低，在这一区域内，晶体管的特性受绝缘体特性的影响较大，因此，晶体管的电性能较差。

中量掺杂区是指晶体管掺杂元素的浓度在10^15~10^16个掺杂原子/cm3之间。在这一区域内，晶体管的电性能受到掺杂浓度的影响较大，它的特性最佳，因此，在集成电路中，大多数晶体管都是从这一区域获得的。

大量掺杂区是指晶体管掺杂元素的浓度大于10^16个掺杂原子/cm3。在这一区域内，由于掺杂浓度过大，晶体管的特性会受到负面影响，因此，通常情况下，晶体管的掺杂浓度不会超过这个区域。

总之，晶体管的掺杂浓度分为少量掺杂区、中量掺杂区和大量掺杂区，掺杂浓度的变化会对晶体管的电性能产生重要影响，因此，了解晶体管的掺杂浓度变化的规律是很有必要的。有了这些知识，我们可以更好地控制集成电路中晶体管的性能，从而更好地满足实际应用的需求。