晶体管是一种常用的半导体器件，在电子设备中用来控制电流和电压。晶体管的电流增益是指晶体管的输出电流与输入电流的比值，通常以hFE或β表示。电流集边效应是导致晶体管电流增益的一种重要原因。

电流集边效应是指输入端的电流在过负载时，晶体管的输出电流会有所增加。这是由于晶体管内部的极性反转效应所致。当晶体管的放大管芯接受电路中的电流时，这种极性反转效应就会发生，放大管芯内部的电荷反转，从而导致输出电流增加，从而提高晶体管的电流增益。

另外，电流集边效应也可以增强晶体管的非线性特性，从而提高晶体管的谐振特性。当晶体管的输入电流较大时，晶体管的非线性特性就会增强，从而使晶体管的动态响应能力更强，从而提高晶体管的谐振特性，更能有效地抑制外界干扰，从而有效地改善晶体管的性能。

电流集边效应也可以改善晶体管的动态特性，提高晶体管的输出负载能力。当晶体管的输出电流较大时，晶体管的输出电流会有所增加，因此，晶体管的输出负载能力也会有所提高，从而改善晶体管的动态特性。

总之，电流集边效应是晶体管电流增益的主要原因之一。它可以提高晶体管的非线性特性和动态特性，从而提高晶体管的输出负载能力，从而改善晶体管的性能。因此，在设计晶体管的电路时，应注意晶体管的电流集边效应。