集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是指在半导体器件上集成多个功能元件，构成电子电路的一种技术。集成电路制造工艺分为前道工艺和后道工艺两大部分。

前道工艺指的是将半导体器件的原材料，如硅片、金属、氧化层、掩模层等，经过物理、化学等处理，加工成半导体器件的工艺过程，主要包括硅片制备、金属蒸镀、掩模制备、氧化层制备以及晶体管制备等多个工序。

硅片制备是半导体器件制造前道工艺的基础，主要就是将硅晶体经过熔融湿法等处理，切割成多个一定尺寸的硅片。

金属蒸镀是在硅片上形成接地层、接收层或连接层等，它是由硅片表面利用蒸镀的方式，将金属蒸镀在硅片表面，形成所需的金属膜。

掩模制备指的是在金属膜上用掩模的方式，将金属膜上的部分区域进行掩盖，以形成通道或接收层等。

氧化层制备是指在硅片表面或金属膜表面进行氧化处理，形成不同厚度的氧化层，以提高硅片或金属膜的绝缘性能。

晶体管制备是指在硅片表面或金属膜上进行晶体管制备，由于半导体器件的元件部分都是由晶体管构成的，因此晶体管制备是半导体器件制造工艺中不可缺少的一部分。

后道工艺指的是将半导体器件在封装前，经过清洗、烧录、测试、标识等多个工序，完成半导体器件的封装工艺。

清洗是在半导体器件封装前，将半导体器件的表面清洁，以保证半导体器件的可靠性。

烧录是指将半导体器件的程序烧录到半导体器件上，以实现半导体器件功能的工序。

测试是指在半导体器件封装前，将半导体器件进行测试，以确保半导体器件的功能。

标识是指将半导体器件的型号、品牌、生产日期等信息标识在半导体器件的外壳上，便于消费者确定半导体器件的型号、品牌等信息。

总之，半导体器件的制造工艺分为前道工艺和后道工艺两大部分，前道工艺是将半导体器件的原材料，如硅片、金属、氧化层、掩模层等，经过物理、化学等处理，加工成半导体器件的工艺过程；后道工艺则是将半导体器件在封装前，经过清洗、烧录、测试、标识等多个工序，完成半导体器件的封装工艺。