igbt是insulated gate bipolar transistor的简称，是一种控制型器件，是在晶体管技术和双极晶体管技术的基础上，将二者的优势结合起来，制成的一种新型的晶体管。igbt具有晶体管的高增益性和双极晶体管的大电流传输能力，是一种功率晶体管，广泛地应用于电力电子技术。

igbt具有晶体管的高负增益、低电封闭阻和高温度稳定性等特点，从而使其在电力电子领域具有很大的发展潜力。igbt由三个极组成，即正向极、反向极和绝缘门极，在正向极和反向极之间，可以利用绝缘门极控制正反向极之间的电流传输，从而控制正反向极之间的电压，实现控制电路的功能。

igbt具有良好的电气特性，具有比较大的电流传输能力、比较高的频率特性和比较高的温度稳定性，是一种高功率的电力电子元件，具有很强的抗电磁干扰能力，可以抑制由于电磁干扰引起的信号失真和脉冲干扰，能够满足高速高效率电力电子电路的要求。

igbt是一种新型的电力控制型器件，在电力电子系统中具有重要的作用，它的优点是：高增益性，高温度稳定性，低电封闭阻，高频特性，高电流传输能力，高功耗能力以及良好的抗电磁干扰能力等等。igbt可以应用于电力电子系统，如变流器、电力变换器、逆变器、电源、电力控制系统和电池充电系统等，并且能够满足当今高效率、高功率电力电子系统的需求。

总之，igbt是一种控制型器件，它具有高负增益、低电封闭阻和高温度稳定性等特点，可以应用于电力电子系统，如变流器、电力变换器、逆变器、电源、电力控制系统和电池充电系统等，并且能够满足当今高效率、高功率电力电子系统的需求。