随着电子技术的发展，各类型器件在电子设备中扮演着重要的角色。其中，双极型器件尤其重要，它们可以控制电流的方向，同时保持低漏电流。其中，GTO（gate turn off）属于双极型器件，它是一种由多个晶体管组成的控制电路，可以被用于高压电流调节器中，以控制电流的流动方向。

GTO是一种常用的双极型器件，它的结构由三个部分组成：一个N沟道晶体管（n-MOSFET），一个P沟道晶体管（p-MOSFET）和一个反馈晶体管（BJT）。N沟道晶体管和P沟道晶体管的共同作用是控制电流的流动方向。当N沟道晶体管被导通时，电流会从负端流向正端；当P沟道晶体管被导通时，电流会从正端流向负端。而反馈晶体管的作用是控制N沟道晶体管和P沟道晶体管的导通，从而控制电流的流动方向。

此外，GTO还具有低漏电流的特点，这是由于它的结构决定的，它的结构使得其在电流关断时，P沟道晶体管和N沟道晶体管之间会产生一个反向偏置，从而使得其具有低漏电流的特点。

与其他型号的双极型器件相比，GTO的特点是其具备了良好的结构稳定性和高效的电流控制，它可以用于微处理器、自动控制系统、电源转换器、通信系统等领域。

综上所述，GTO是一种双极型器件，它的结构由三个部分组成，可以控制电流的流动方向，具有良好的结构稳定性和高效的电流控制，可以用于微处理器、自动控制系统、电源转换器、通信系统等领域。